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Si4920DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
40
32
V GS = 10 V thru 5 V
4V
40
30
24
20
16
8
10
T C = 125 °C
0
3V
0
25 °C
- 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
1
2
3
4
5
0.05
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
3000
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.04
2500
C iss
0.03
V GS = 4.5 V
2000
1500
0.02
1000
V GS = 10 V
0.01
0
500
0
C rss
C oss
0
10
20
30
40
0
5
10
15
20
25
30
10
8
6
4
2
0
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 15 V
I D = 6.9 A
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 10 V
I D = 6.9 A
0
5
10
15
20
25
30
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 70667
S09-0767-Rev. E, 04-May-09
T J - Junction T emperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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